芯片的介电常数，也称为电容率，是用来描述绝缘材料在电场中的响应特性的物理量。它以字母ε表示，单位为法/米（F/m）。介电常数是电位移D和电场强度E之比，即ε=D/E。电位移D的单位是库/二次方米（C/m^2）。在实际应用中，通常使用相对介电常数，以字母εr表示，它是无量纲的纯数，通过公式εr=ε/ε0计算，其中ε为材料的介电常数，ε0为真空介电常数，其值等于8.85×10^-12 F/m。

介电常数反映了介质的极化特性。具有高介电常数的材料在外加电场的响应下极化效应更明显，从而在材料中存储更多的能量。与之相对的是超低介电常数（ELK）材料，这类材料的介电常数非常低，适用于需要低介电损耗的应用场景。

介电常数的数值越大，表明物质越容易被电场所极化，即其电容性会增强。这也是决定介质电特性、信号传播速度和电磁波透射损耗的重要因素之一。

建议在选择芯片材料时，根据具体应用需求考虑介电常数的数值，以实现最佳的电性能和能效。